Kondansateur fim mens YMIN yo konplete pafètman MOSFET G2 CoolSiC™ Infineon an.
Nouvo jenerasyon MOSFET CoolSiC™ G2 Infineon an se inovasyon dirijan nan jesyon enèji. Kondansateur fim mens YMIN yo, ak konsepsyon ESR ki ba yo, vòltaj nominal ki wo, kouran flit ki ba, estabilite tanperati ki wo, ak dansite kapasite ki wo, bay yon sipò solid pou pwodui sa a, ede nan reyalize gwo efikasite, gwo pèfòmans, ak gwo fyab, sa ki fè li yon nouvo solisyon pou konvèsyon enèji nan aparèy elektwonik.
Karakteristik ak avantaj YMINKondansateur fim mens
ESR ki ba:
Konsepsyon ESR ki ba kondansateur fim mens YMIN yo jere bri frekans segondè nan ekipman pouvwa yo avèk efikasite, konplete pèt komitasyon ki ba nan CoolSiC™ MOSFET G2 a.
Vòltaj Segondè ak Flit ki Ba:
Karakteristik vòltaj nominal ki wo ak kouran flit ki ba nan kondansateur fim mens YMIN yo amelyore estabilite tanperati ki wo nan CoolSiC ™ MOSFET G2, sa ki bay yon sipò solid pou estabilite sistèm nan anviwònman difisil.
Estabilite tanperati ki wo:
Estabilite tanperati ki wo nan kondansateur fim mens YMIN yo, konbine avèk jesyon tèmik siperyè CoolSiC ™ MOSFET G2 a, amelyore fyab ak estabilite sistèm nan plis toujou.
Dansite Kapasite Segondè:
Dansite kapasite segondè kondansateur fim mens yo ofri pi gwo fleksibilite ak itilizasyon espas nan konsepsyon sistèm.
Konklizyon
Kondansateur fim mens YMIN yo, kòm patnè ideyal pou CoolSiC™ MOSFET G2 Infineon an, montre yon gwo potansyèl. Konbinezon de kondansateur sa yo amelyore fyab ak pèfòmans sistèm nan, sa ki bay pi bon sipò pou aparèy elektwonik yo.
Dat piblikasyon: 27 me 2024